Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 600 V, 2.2 A, 4.4 Ω, 18 nC, 3ピン, パッケージ:JEDEC TO-220AB

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RS品番:
178-0839
メーカー型番:
IRFBC20PBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

2.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

シリーズ

IRFBC20

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.4Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

18nC

最大許容損失Pd

50W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

-20V, +20V

順方向電圧 Vf

2V

動作温度 Max

150°C

長さ

10.41mm

規格 / 承認

RoHS

幅

4.7mm

高さ

9.01mm

自動車規格

なし

Vishay IRFBC20シリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧600V、最大消費電力50W - IRFBC20PBF


このパワーMOSFETは、電力変換および制御回路で使用するために設計された高電圧Nチャンネルスイッチングトランジスタです。幅広い産業用温度範囲でのスイッチングおよび増幅作業に適したエンハンスメントモードデバイスとして動作し、スルーホールTO-220ABパッケージで提供され、簡単な取り付けとヒートシンク統合を実現します。

特長:


• 600Vのドレインソース間耐性により、高電圧スイッチングを実現
• 2.2 Aの連続ドレイン電流により、適度な負荷電流をサポート
• 4.4Ωの低Rds(on)により、電流が限られている場合の導通損失を低減
• 50Wの最大消費電力により、持続的な熱負荷を実現
• 18 nCの標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング動作を実現
• 20Vゲート定格により、一般的なゲートドライブ電圧を実現

用途


• 高電圧電源およびコンバータに適合
• 産業機器のスイッチモード電源コントローラーに最適
• モータ制御インターフェースのディスクリートドライバステージと併用
• 電力システムのスナバーおよびクランプ機能に使用可能
• スルーホール実装を使用した実験室のプロトタイピングに最適

動作中にどのような周囲温度に耐えられますか?


-55°C~150°Cの産業用途で動作するため、過酷な熱環境でも使用できます。

効果的な放熱を実現するために、どのように取り付ける必要がありますか?


TO-220ABスルーホールフォーマットは、標準的なヒートシンクと基板実装に対応し、ねじ取り付けにより熱伝達を向上させます。

どのようなゲートドライブ制限を遵守する必要がありますか?


最大ゲート-ソース間電圧は20 Vで、ゲートオキサイドの損傷を防ぐためには、ゲートドライブ回路をそのレベルに制限する必要があります。

自動車グレードの用途に適していますか?


自動車規格に適合することは指定されていないため、自動車認証が義務付けられている場合は避ける必要があります。

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