Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 5.9 A, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB
- RS品番:
- 256-7274
- メーカー型番:
- IRF630PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 本(1本50個入り) 小計:*
¥6,026.00
(税抜)
¥6,628.50
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 1,000 は 2026年7月13日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | ¥120.52 | ¥6,026 |
| 250 - 450 | ¥117.58 | ¥5,879 |
| 500 - 1200 | ¥114.66 | ¥5,733 |
| 1250 - 2450 | ¥111.72 | ¥5,586 |
| 2500 + | ¥108.78 | ¥5,439 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 256-7274
- メーカー型番:
- IRF630PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 5.9A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 200V | |
| シリーズ | IRF630 | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.4Ω | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 43nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 10V | |
| 順方向電圧 Vf | 2V | |
| 最大許容損失Pd | 74W | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 高さ | 4.65mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 5.9A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 200V | ||
シリーズ IRF630 | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.4Ω | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 43nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 10V | ||
順方向電圧 Vf 2V | ||
最大許容損失Pd 74W | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
高さ 4.65mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay IRF630シリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧200 V、最大連続ドレイン電流5.9 A - IRF630PBF
このパワーMOSFETは、産業用電子システムのスイッチングと増幅用に設計されたスルーホールNチャンネルトランジスタです。高電圧で動作し、大きな電力処理と熱耐性が必要な場所での使用に適しています。このデバイスはTO-220ABパッケージに収納されており、従来の基板実装アセンブリに統合するように設計されています。
特長:
• 200 Vドレインソース定格により、高電圧スイッチング用途を実現 • 5.9 Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷処理を実現 • 0.4Ω Rds(on)により、負荷下での導通損失を低減 • 74 Wの消費電力により、高い電力伝送を実現 • 43 nCの標準ゲート充電により、予測可能なドライブ要件を実現 • +150°Cまでの定格で、幅広い温度範囲で動作可能
用途
• 高電圧トランジスタを必要とするスイッチモード電源に最適 • 産業オートメーション機器のモータ制御ステージに最適 • 高電圧リレーおよびソリッドステートスイッチングモジュールに使用 • スルーホール電源設計のプロトタイプや修理に使用可能 • 大きな電力処理が必要なディスクリートアンプ回路で使用
スイッチングでは、どのようなゲートドライブの制限を考慮すべきですか?
ゲートは、ゲートとソース間で最大10 Vの耐電圧を耐える必要があります。
ドライバを設計して、標準的な43 nCゲート充電に十分な充電を供給し、必要なスイッチング速度を実現します。
このコンポーネントでの熱管理にはどのように取り組む必要がありますか?
ヒートシンクにパッケージを取り付けたり、最大74 Wの放散を実現する十分な基板銅とエアフローを確保し、熱抵抗を計算する際に最大ジャンクション定格を考慮します。
どのような取り付けと接続形式が必要ですか?
TO-220ABパッケージに収められた3本のピンを備えたスルーホールデバイスで、標準的なスルーホールソケットおよびヒートシンク取り付け方式に対応しています。
動作中にどのような環境温度範囲をサポートしますか?
-55°C~+150°Cまでの動作に対応し、幅広い環境条件で使用できます。
関連ページ
- Vishay パワーMOSFET 5.9 A 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, IRF630PBF
- 1 Vishay パワーMOSFET シングル 18 A 50 V パッケージJEDEC TO-220AB
- 1 Vishay パワーMOSFET シングル 11 A 60 V パッケージJEDEC TO-220AB
- 1 Vishay パワーMOSFET シングル 18 A 50 V, IRF9Z30PBF パッケージJEDEC TO-220AB
- 1 Vishay パワーMOSFET シングル 11 A 60 V, IRF9Z24PBF パッケージJEDEC TO-220AB
- Infineon パワーMOSFET 202 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET 10 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB
- Infineon パワーMOSFET 202 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, IRF1404PBF
