Vishay Siliconix MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 3.6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, Si2319DDS-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
178-3853
メーカー型番:
Si2319DDS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay Siliconix
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ブランド

Vishay Siliconix

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

3.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

100mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12.5nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

1.7W

順方向電圧 Vf

-1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

1.4 mm

高さ

1.02mm

長さ

3.04mm

自動車規格

なし

RoHSステータス: 対象外

COO（原産国）:
CN

Vishay


Vishay 表面実装 P チャンネル MOSFET は、ドレインソース電圧 40 V 、最大ゲートソース電圧 20 V の新しい時代の製品です。ゲートソース電圧が 10 V のときに 75 mohms のドレインソース抵抗を備えています。最大消費電力は 1.7 W で、連続ドレイン電流は 3.6 A です。この MOSFET の最小駆動電圧は 4.5 V 、最大駆動電圧は 10 V です。MOSFET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


• ハロゲンフリー

•鉛（ Pb ）フリー

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

用途


•バッテリスイッチ

•負荷スイッチ

•モータ駆動制御

認定


• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• Rg テスト済み

• UIS テスト済み

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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