Vishay Siliconix MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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RS品番:
178-3670
メーカー型番:
SiDR392DP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay Siliconix
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ブランド

Vishay Siliconix

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

900μΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

6 V

最大許容損失Pd

125W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

125nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

高さ

1.07mm

幅

5 mm

長さ

5.99mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

RoHSステータス: 対象外

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

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