Vishay Siliconix Nチャンネル MOSFET30 V 100 A 表面実装 パッケージPowerPAK SO-8DC 8 ピン
- RS品番:
- 178-3670
- メーカー型番:
- SiDR392DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay Siliconix
在庫切れ
単価： 購入単位は3000 個
￥216.502
(税抜)
￥238.152
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ￥216.502 | ￥649,506.00 |
| 6000 - 27000 | ￥210.039 | ￥630,117.00 |
| 30000 - 42000 | ￥198.837 | ￥596,511.00 |
| 45000 - 57000 | ￥193.236 | ￥579,708.00 |
| 60000 + | ￥187.635 | ￥562,905.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 178-3670
- メーカー型番:
- SiDR392DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay Siliconix
データシート
その他
RoHSステータス: 該当なし
詳細情報
TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET
上面冷却を採用し、熱伝達領域を拡大
Qg、Qgd、Qgd/Qgs比の最適化により、スイッチング関連の電力損失を低減
上面冷却を採用し、熱伝達領域を拡大
Qg、Qgd、Qgd/Qgs比の最適化により、スイッチング関連の電力損失を低減
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 100 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 30 V |
| パッケージタイプ | PowerPAK SO-8DC |
| シリーズ | TrenchFET |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 8 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 900 μΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 2.2V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1V |
| 最大パワー消費 | 125 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | +20 V, +6 V |
| 幅 | 5mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 125 nC @ 10 V |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 長さ | 5.99mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.1V |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 高さ | 1.07mm |
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