Vishay Siliconix MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SiDR392DP-T1-GE3
- RS品番:
- 178-3934
- メーカー型番:
- SiDR392DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay Siliconix
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- RS品番:
- 178-3934
- メーカー型番:
- SiDR392DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay Siliconix
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay Siliconix | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 100A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 900μΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 125nC | |
| 最大許容損失Pd | 125W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.07mm | |
| 長さ | 5.99mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay Siliconix | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 100A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ TrenchFET | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 900μΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 125nC | ||
最大許容損失Pd 125W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.07mm | ||
長さ 5.99mm | ||
自動車規格 なし | ||
RoHSステータス: 対象外
- COO（原産国）:
- TW
TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET
上面冷却を採用し、熱伝達領域を拡大
Qg、Qgd、Qgd/Qgs比の最適化により、スイッチング関連の電力損失を低減
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