Vishay Siliconix MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SiDR392DP-T1-GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計：*

￥2,806.00

(税抜)

￥3,086.60

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,820 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
5 - 145￥561.20￥2,806
150 - 1420￥511.00￥2,555
1425 - 1895￥462.60￥2,313
1900 - 2395￥414.00￥2,070
2400 +￥365.80￥1,829

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
178-3934
メーカー型番:
SiDR392DP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay Siliconix
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay Siliconix

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

900μΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

125W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

125nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

6 V

動作温度 Max

150°C

幅

5 mm

長さ

5.99mm

規格 / 承認

No

高さ

1.07mm

自動車規格

なし

RoHSステータス: 対象外

COO（原産国）:
TW
TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

上面冷却を採用し、熱伝達領域を拡大

Qg、Qgd、Qgd/Qgs比の最適化により、スイッチング関連の電力損失を低減

関連ページ