型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIDR392DP-T1-RE3

RS品番:: 204-7234
メーカー型番:: SIDR392DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIDR392DP-T1-RE3

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140 - 1380	￥374.65	￥7,493
1400 - 1780	￥337.15	￥6,743
1800 - 2380	￥299.65	￥5,993
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RS品番:: 204-7234
メーカー型番:: SIDR392DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	100A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	シリーズ	SiDR392DP
	パッケージ型式	SO-8
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.62mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.1V
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	125W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	188nC
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	長さ	6.15mm
	幅	5.15 mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 100A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	シリーズ SiDR392DP
	パッケージ型式 SO-8
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.62mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.1V
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 125W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 188nC
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	長さ 6.15mm
	幅 5.15 mm
	自動車規格なし

Vishay N チャンネル 30 V （ D-S ） MOSFET は TOP サイド冷却機能を備えており、熱伝導をさらに強化します。Qg 、 Qgd 、 Qgd/Qgs 比は、スイッチング関連の電力損失を低減します。

100 % Rg及びUISテスト済み

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIDR392DP-T1-RE3

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