Vishay Siliconix MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 30 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SQJ415EP-T1_GE3

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梱包形態
RS品番:
178-3859
メーカー型番:
SQJ415EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay Siliconix
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ブランド

Vishay Siliconix

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

30A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

20mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

63nC

最大許容損失Pd

45W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

-1.2V

動作温度 Max

175°C

高さ

1.07mm

幅

5 mm

規格 / 承認

No

長さ

5.99mm

自動車規格

AEC-Q101

RoHSステータス: 対象外

Vishay


Vishay 表面実装 P チャンネル MOSFET は、ドレインソース電圧 40 V 、最大ゲートソース電圧 20 V の新しい時代の製品です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 14 mohms です。最大消費電力 45 W 、連続ドレイン電流 30 A です。最小及び最大駆動電圧は 4.5 V 及び 10 V です。車載用途に使用されます。MOSFET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


• ハロゲンフリー

•鉛（ Pb ）フリー

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 175 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

認定


• AEC-Q101 （ AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• Rg テスト済み

• UIS テスト済み

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