2 Vishay Siliconix MOSFET デュアル, タイプN, タイプPチャンネル, 30 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSO-8

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RS品番:
178-3720
メーカー型番:
SQJ504EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay Siliconix
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ブランド

Vishay Siliconix

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN, タイプP

最大連続ドレイン電流Id

30A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

30mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12.1nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

34W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

トランジスタ構成

デュアル

動作温度 Max

175°C

幅

5 mm

長さ

5.99mm

規格 / 承認

No

高さ

1.07mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

RoHSステータス: 対象外

COO（原産国）:
CN

Vishay


Vishay 表面実装デュアルチャンネル（ N チャンネルと P チャンネルの両方） MOSFET は、ドレインソース電圧 40 V の新しいエージング製品です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 17 mhm です。最大消費電力 34 W 、連続ドレイン電流 30 A です。MOSFET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。自動車産業に適しています。

特長と利点


• ハロゲンフリー

•鉛（ Pb ）フリー

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 175 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

認定


• AEC-Q101 （ AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• Rg テスト済み

• UIS テスト済み

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