Vishay Siliconix MOSFET, タイプPチャンネル 200 V, 9.4 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥330,927.00

(税抜)

￥364,020.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
取扱終了 在庫限り
  • 6,000 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 3000￥110.309￥330,927
6000 - 27000￥108.11￥324,330
30000 - 42000￥105.948￥317,844
45000 - 57000￥103.824￥311,472
60000 +￥101.747￥305,241

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
178-3718
メーカー型番:
SQJ431AEP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay Siliconix
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay Siliconix

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

9.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

760mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

68W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

55nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

-1.2V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

幅

5 mm

長さ

5.99mm

高さ

1.07mm

自動車規格

AEC-Q101

RoHSステータス: 対象外

COO（原産国）:
CN
TrenchFET®パワーMOSFET

関連ページ