2 Vishay Siliconix MOSFET デュアル, タイプN, タイプPチャンネル, 30 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, SQJ504EP-T1_GE3 パッケージSO-8
- RS品番:
- 178-3893
- メーカー型番:
- SQJ504EP-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay Siliconix
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- RS品番:
- 178-3893
- メーカー型番:
- SQJ504EP-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay Siliconix
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay Siliconix | |
| チャンネルタイプ | タイプN, タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 30A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 30mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 34W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 1.07mm | |
| 長さ | 5.99mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay Siliconix | ||
チャンネルタイプ タイプN, タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 30A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
シリーズ TrenchFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 30mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 34W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 12.1nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 1.07mm | ||
長さ 5.99mm | ||
規格 / 承認 No | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
RoHSステータス: 対象外
- COO（原産国）:
- CN
Vishay
Vishay 表面実装デュアルチャンネル（ N チャンネルと P チャンネルの両方） MOSFET は、ドレインソース電圧 40 V の新しいエージング製品です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 17 mhm です。最大消費電力 34 W 、連続ドレイン電流 30 A です。MOSFET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。自動車産業に適しています。
特長と利点
• ハロゲンフリー
•鉛（ Pb ）フリー
•動作温度範囲： -55 ° C ～ 175 ° C
• TrenchFET パワー MOSFET
認定
• AEC-Q101 （ AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• Rg テスト済み
• UIS テスト済み
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