Vishay Siliconix MOSFET, タイプNチャンネル 250 V, 14.4 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, Si7190ADP-T1-RE3

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梱包形態
RS品番:
178-3875
メーカー型番:
Si7190ADP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay Siliconix
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ブランド

Vishay Siliconix

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

14.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

250V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

110mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

56.8W

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

14.9nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

高さ

1.07mm

規格 / 承認

No

5 mm

長さ

5.99mm

自動車規格

なし

RoHSステータス: 対象外

COO(原産国):
CN
TrenchFET®パワーMOSFET

低熱抵抗PowerPAK®パッケージ

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