2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 60 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, SQJ208EP-T1_GE3 パッケージSO-8

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梱包形態
RS品番:
188-5101
メーカー型番:
SQJ208EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

60A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

16mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22nC

順方向電圧 Vf

0.77V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

48W

動作温度 Max

175°C

トランジスタ構成

デュアル

長さ

5mm

幅

4.47 mm

高さ

1.01mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

車載用デュアル N チャンネル 40 V （ D-S ） 175 ° C MOSFET です。

TrenchFET®パワーMOSFET

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