Vishay Siliconix MOSFET, Nチャンネル, 80 A, 表面実装, 8 ピン, SiSS02DN-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
178-3899
メーカー型番:
SiSS02DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay Siliconix
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ブランド

Vishay Siliconix

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

80 A

最大ドレイン-ソース間電圧

25 V

シリーズ

TrenchFET

パッケージタイプ

1212

実装タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗

1 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

1V

最低ゲートしきい値電圧

2.2V

最大パワー消費

65.7 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-12 V, +16 V

標準ゲートチャージ @ Vgs

55 nC @ 10 V

幅

3.15mm

1チップ当たりのエレメント数

1

トランジスタ素材

Si

長さ

3.15mm

動作温度 Max

+150 °C

高さ

1.07mm

動作温度 Min

-55 °C

順方向ダイオード電圧

1.1V

RoHSステータス: 該当なし

COO（原産国）:
CN
特長
TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET
熱特性が強化された小型パッケージで超低RDS(on)
Qg、Qgd、Qgd/Qgs比の最適化により、スイッチング関連の電力損失を低減
用途
同期整流
同期バックコンバータ
高電力密度DC-DC
OR-ing
負荷スイッチ

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