型番

Vishay Siliconix MOSFET, Nチャンネル, 80 A, 表面実装, 8 ピン, SiSS02DN-T1-GE3

RS品番:: 178-3899
メーカー型番:: SiSS02DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix MOSFET, Nチャンネル, 80 A, 表面実装, 8 ピン, SiSS02DN-T1-GE3

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RS品番:: 178-3899
メーカー型番:: SiSS02DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay Siliconix

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay Siliconix
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流	80 A
	最大ドレイン-ソース間電圧	25 V
	シリーズ	TrenchFET
	パッケージタイプ	1212
	実装タイプ	表面実装
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗	1 mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧	1V
	最低ゲートしきい値電圧	2.2V
	最大パワー消費	65.7 W
	トランジスタ構成	シングル
	最大ゲート-ソース間電圧	-12 V, +16 V
	トランジスタ素材	Si
	幅	3.15mm
	長さ	3.15mm
	1チップ当たりのエレメント数	1
	動作温度 Max	+150 °C
	標準ゲートチャージ @ Vgs	55 nC @ 10 V
	高さ	1.07mm
	順方向ダイオード電圧	1.1V
	動作温度 Min	-55 °C

	すべて選択
	ブランド Vishay Siliconix
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流 80 A
	最大ドレイン-ソース間電圧 25 V
	シリーズ TrenchFET
	パッケージタイプ 1212
	実装タイプ表面実装
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗 1 mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧 1V
	最低ゲートしきい値電圧 2.2V
	最大パワー消費 65.7 W
	トランジスタ構成シングル
	最大ゲート-ソース間電圧 -12 V, +16 V
	トランジスタ素材 Si
	幅 3.15mm
	長さ 3.15mm
	1チップ当たりのエレメント数 1
	動作温度 Max +150 °C
	標準ゲートチャージ @ Vgs 55 nC @ 10 V
	高さ 1.07mm
	順方向ダイオード電圧 1.1V
	動作温度 Min -55 °C

Datasheet

RoHSステータス: 該当なし

COO（原産国）:: CN

特長
TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET
熱特性が強化された小型パッケージで超低RDS(on)
Qg、Qgd、Qgd/Qgs比の最適化により、スイッチング関連の電力損失を低減
用途
同期整流
同期バックコンバータ
高電力密度DC-DC
OR-ing
負荷スイッチ

Vishay Siliconix MOSFET, Nチャンネル, 80 A, 表面実装, 8 ピン, SiSS02DN-T1-GE3

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