Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 162 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiSS52DN-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
210-5016
メーカー型番:
SiSS52DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

162A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PowerPAK 1212

シリーズ

SiSS52DN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.95mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

43.2nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

最大許容損失Pd

57W

動作温度 Max

150°C

幅

3.4 mm

長さ

3.4mm

高さ

0.83mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay N チャンネル 30 V （ D-S ） MOSFET は、 PowerPak 1212-8S パッケージタイプです。

TrenchFET Gen V パワー MOSFET

超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM ）

超低 RDS （ on ）及び熱特性により、高電力密度を実現します 強化されたコンパクトパッケージ

100 % Rg及びUISテスト済み

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