Vishay Siliconix MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 60 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiSS12DN-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
178-3920
メーカー型番:
SiSS12DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay Siliconix
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ブランド

Vishay Siliconix

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

60A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

PowerPAK 1212

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

59nC

最大許容損失Pd

65.7W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

長さ

3.15mm

幅

3.15 mm

規格 / 承認

No

高さ

1.07mm

自動車規格

なし

RoHSステータス: 対象外

COO（原産国）:
CN
TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

熱特性が強化された小型パッケージで超低RDS(on)

Qg、Qgd、Qgd/Qgs比の最適化により、スイッチング関連の電力損失を低減

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