- RS品番:
- 178-4317
- メーカー型番:
- NTTFS6H850NTAG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
1500 海外在庫あり - 通常4営業日でお届け
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単価: 購入単位は1500 個
¥152.82
(税抜)
¥168.10
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
1500 - 1500 | ¥152.82 | ¥229,230.00 |
3000 - 13500 | ¥148.259 | ¥222,388.50 |
15000 - 21000 | ¥140.352 | ¥210,528.00 |
22500 - 28500 | ¥136.398 | ¥204,597.00 |
30000 + | ¥132.445 | ¥198,667.50 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 178-4317
- メーカー型番:
- NTTFS6H850NTAG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
- COO(原産国):
- MY
詳細情報
3 x 3 mmフラットリードパッケージの業務用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。
特長
低オン抵抗
低ゲートチャージ
省スペース(3 x 3 mm)
利点
導電損失を最小化
スイッチング損失を最小化
小型設計
用途
逆バッテリ保護
パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)
同期整流
最終製品
モータ制御
電池管理
スイッチング電源
低オン抵抗
低ゲートチャージ
省スペース(3 x 3 mm)
利点
導電損失を最小化
スイッチング損失を最小化
小型設計
用途
逆バッテリ保護
パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)
同期整流
最終製品
モータ制御
電池管理
スイッチング電源
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 68 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 80 V |
パッケージタイプ | WDFN |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 8 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 9.5 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
最低ゲートしきい値電圧 | 2V |
最大パワー消費 | 107 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | ±20 V |
長さ | 3.15mm |
動作温度 Max | +175 °C |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 3.6 nC @ 10 V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
幅 | 3.15mm |
高さ | 0.75mm |
順方向ダイオード電圧 | 1.2V |
動作温度 Min | -55 °C |
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