onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 68 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージWDFN

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RS品番:
178-4317
メーカー型番:
NTTFS6H850NTAG
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

68A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

NTTFS6H850N

パッケージ型式

WDFN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

9.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

107W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

3.6nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

幅

3.15 mm

規格 / 承認

No

長さ

3.15mm

高さ

0.75mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY
3 x 3 mmフラットリードパッケージの業務用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。

3 x 3 mmフラットリードパッケージの業務用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。

特長

低オン抵抗

低ゲートチャージ

省スペース(3 x 3 mm)

利点

導電損失を最小化

スイッチング損失を最小化

小型設計

用途

逆バッテリ保護

パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)

同期整流

最終製品

モータ制御

電池管理

スイッチング電源

特長

低オン抵抗

低ゲートチャージ

省スペース(3 x 3 mm)

利点

導電損失を最小化

スイッチング損失を最小化

小型設計

用途

逆バッテリ保護

パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)

同期整流

最終製品

モータ制御

電池管理

スイッチング電源

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