onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 29 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージWDFN

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RS品番:
171-8365
メーカー型番:
NTTFS4C02NTAG
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

29A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

NTTFS4C02N

パッケージ型式

WDFN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

4.2W

順方向電圧 Vf

0.8V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

20nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

0.75mm

長さ

3.15mm

幅

3.15 mm

自動車規格

なし

パワーMOSFET 30 V、170 A、2.25 mΩ、シングルNチャンネル、μ8FL

低RDS(on)で導電損失を最小限に抑制

低静電容量でドライバ損失を最小限に抑制

ゲート電荷量の最適化により、スイッチング損失を最小限に抑制

鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

用途

DC-DCコンバータ

電力負荷スイッチ

ノートPCバッテリ管理

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