onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 110 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージDFN, NVMFS6H824NLT1G
- RS品番:
- 202-5749
- メーカー型番:
- NVMFS6H824NLT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 202-5749
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- NVMFS6H824NLT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 110A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| シリーズ | NVM | |
| パッケージ型式 | DFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 4mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 116W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 52nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 5.3mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 1.1 mm | |
| 高さ | 6.3mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 110A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
シリーズ NVM | ||
パッケージ型式 DFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 116W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 52nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 5.3mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 1.1 mm | ||
高さ 6.3mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
ON Semiconductor N チャンネル MOSFET は、 110 A 及び 80 V で動作します。フットプリントが小さく、低 RDS ( on )のコンパクトな設計で、導電損失を最小限に抑えます。
AEC Q101 認定
RoHS対応
鉛フリー
ウェッタブルフランクオプション
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