onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 133 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN, NVMFS5C638NLT1G
- RS品番:
- 178-4407
- メーカー型番:
- NVMFS5C638NLT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 178-4407
- メーカー型番:
- NVMFS5C638NLT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 133A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | NVMFS5C638NL | |
| パッケージ型式 | DFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 100W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 18.4nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 5.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.05mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 133A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ NVMFS5C638NL | ||
パッケージ型式 DFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 100W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 18.4nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 5.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.05mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- MY
5 x 6 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。自動車用途に適しています。
特長
業界標準の小型フットプリント: 5 x 6 mmのパッケージ
低RDS(on)
低QG、低静電容量
NVMFS5C638NLWF - ウェッタブルフランクオプション
PPAP対応
利点
ダイレクトドロップインのための小型設計と標準フットプリント
導電損失を最小限に抑制
ドライバ損失を最小限に抑制
光学検査を強化
用途
逆バッテリ保護
スイッチング電源
パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)
最終製品
ソレノイドドライバ - ABS、燃料噴射
モータ制御 - EPS、ワイパー、ファン、シートなど
負荷スイッチ - ECU、シャーシ、ボディ
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