onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 133 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN, NVMFS5C638NLT1G

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梱包形態
RS品番:
178-4407
メーカー型番:
NVMFS5C638NLT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

133A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

NVMFS5C638NL

パッケージ型式

DFN

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

100W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

18.4nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

長さ

5.1mm

規格 / 承認

No

高さ

1.05mm

幅

6.1 mm

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
MY
5 x 6 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。自動車用途に適しています。

特長

業界標準の小型フットプリント: 5 x 6 mmのパッケージ

低RDS(on)

低QG、低静電容量

NVMFS5C638NLWF - ウェッタブルフランクオプション

PPAP対応

利点

ダイレクトドロップインのための小型設計と標準フットプリント

導電損失を最小限に抑制

ドライバ損失を最小限に抑制

光学検査を強化

用途

逆バッテリ保護

スイッチング電源

パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)

最終製品

ソレノイドドライバ - ABS、燃料噴射

モータ制御 - EPS、ワイパー、ファン、シートなど

負荷スイッチ - ECU、シャーシ、ボディ

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