onsemi Nチャンネル MOSFET80 V 157 A 表面実装 パッケージDFN 5 ピン

ON Semiconductor DFN5 表面実装 N チャンネル MOSFET は、ドレインソース電圧が 80 V 、最大ゲートソース電圧が 20 V の新しい製品です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 2.8 mhm です。最大連続ドレイン電流は 157 A 、最大消費電力は 160 W です。 この MOSFET の駆動電圧は 10 V です。MOSFET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

•車載用パワー MOSFET
•コンパクトで効率的な設計
•高い熱性能
•鉛（ Pb ）フリー
• QG と静電容量が低いため、ドライバの損失を最小限に抑えることができます
•低 RDS （ on ）で導電損失を最小限に抑えます
•ドライバの損失を最小限に抑えます
•動作温度範囲： -55 ° C ～ 175 ° C
•光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプションが用意されています

• DC-DC コンバータ
•負荷スイッチ
• モータ制御
•パワースイッチ（ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、 H ブリッジなど）
•スイッチング電源

• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007

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