onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 268 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN, NVMFS5C420NT1G

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梱包形態
RS品番:
221-6756
メーカー型番:
NVMFS5C420NT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

268A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

DFN

シリーズ

NVMFS5C

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

150W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

82nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

長さ

6.3mm

規格 / 承認

RoHS

幅

1.1 mm

高さ

5.3mm

自動車規格

なし

ON Semiconductor 車載用パワー MOSFET は、 5 x 6 mm フラットリードパッケージに収められ、コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を向上させるために使用します。AEC-Q101準拠のMOSFET、車載用途に適したPPAP対応品です。

ON Semiconductor 車載用パワー MOSFET は、 5 x 6 mm フラットリードパッケージに収められ、コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を向上させるために使用します。AEC-Q101準拠のMOSFET、車載用途に適したPPAP対応品です。

低RDS(オン)で導通損失を最小限に抑えます

低 QG ・静電容量でドライバ損失を最小限に抑えます

低RDS(オン)で導通損失を最小限に抑えます

低 QG ・静電容量でドライバ損失を最小限に抑えます

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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