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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流	80 A
	最大ドレイン-ソース間電圧	40 V
	パッケージタイプ	DFN
	実装タイプ	表面実装
	ピン数	5
	最大ドレイン-ソース間抵抗	4.5 mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧	3.5V
	最低ゲートしきい値電圧	2.5V
	最大パワー消費	55 W
	トランジスタ構成	シングル
	最大ゲート-ソース間電圧	±20 V
	長さ	5.1mm
	1チップ当たりのエレメント数	1
	幅	6.1mm
	動作温度 Max	+175 °C
	標準ゲートチャージ @ Vgs	18 nC @ 10 V
	順方向ダイオード電圧	1.2V
	動作温度 Min	-55 °C
	高さ	1.05mm

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流 80 A
	最大ドレイン-ソース間電圧 40 V
	パッケージタイプ DFN
	実装タイプ表面実装
	ピン数 5
	最大ドレイン-ソース間抵抗 4.5 mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧 3.5V
	最低ゲートしきい値電圧 2.5V
	最大パワー消費 55 W
	トランジスタ構成シングル
	最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V
	長さ 5.1mm
	1チップ当たりのエレメント数 1
	幅 6.1mm
	動作温度 Max +175 °C
	標準ゲートチャージ @ Vgs 18 nC @ 10 V
	順方向ダイオード電圧 1.2V
	動作温度 Min -55 °C
	高さ 1.05mm

COO（原産国）:: MY

5 x 6 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。自動車用途に適しています。

特長
小型フットプリント (5 x 6 mm)
低RDS(on)
低Qg、低静電容量
ウェッタブルフランクオプション
PPAP対応

利点
小型設計
導電損失を最小限に抑制
駆動損失を最小化
光学検査を強化

用途
逆電池保護
パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)
スイッチング電源
最終製品
ソレノイドドライバ - ABS、燃料噴射
モータ制御 - EPS、ワイパー、ファン、シートなど
負荷スイッチ - ECU、シャーシ、ボディ

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

onsemi MOSFET, Nチャンネル, 80 A, 表面実装, 5 ピン, NVMFS5C456NT1G

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