Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 1.9 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-223

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RS品番:
911-4791
メーカー型番:
BSP171PH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

1.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOT-223

シリーズ

SIPMOS

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

300mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

13nC

最大許容損失Pd

1.8W

順方向電圧 Vf

-1.1V

動作温度 Max

150°C

幅

3.5 mm

高さ

1.6mm

長さ

6.5mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
MY

インフィニオンSIPMOS®シリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流1.9A、最大許容損失1.8W - BSP171PH6327XTSA1


このMOSFETは、Pチャネル技術を利用した高性能スイッチング・アプリケーション用に設計されています。SIPMOS®技術により、コンパクトなSOT-223パッケージで信頼性の高い動作を保証し、車載および産業用アプリケーションに適した選択肢となります。1.9Aの連続ドレイン電流定格と60Vの最大電圧は、さまざまな用途で電力を効率的に管理する効果を高める。

特徴と利点


• Pチャンネル構成がローサイド・スイッチング・アプリケーションをサポート

• エンハンスメント・モードが効率的なパフォーマンスを促進

• 表面実装設計により貴重なPCBスペースを節約

• 150℃までの高温に対応し、耐久性を確保

• 低Rds(on)でスイッチング時の電力損失を低減

用途


• カーエレクトロニクスにおける負荷スイッチング

• エネルギー効率を高める電源管理回路

• 高周波 迅速な切り替えが必要

• 民生用電子機器の駆動負荷

• コンパクトなソリューションが必要な電源回路

この部品が扱えるドレイン・ソース間電圧の最大値は？


この部品は最大60Vのドレイン・ソース間電圧に耐えることができ、さまざまな用途に適している。

この部品の高温での性能は？


最高+150℃の温度で効果的に動作し、厳しい環境でも性能を発揮する。

バッテリー駆動の回路に使用できますか？


そう、Rds(on)が低いため電力損失が大幅に削減され、バッテリー駆動の機器に適しているのだ。

雪崩の格付けの意味は？


アバランシェ規格は、デバイスがエネルギースパイクを吸収できることを示し、過渡現象時の耐久性と信頼性を高める。

プリント基板に正しく取り付けるにはどうしたらいいですか？


SOT-223パッケージの寸法仕様に従い、取り付け時に適切な熱管理を行うことが重要です。

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