Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 60 V, 2.9 A, 130 mΩ, 22 nC, 4ピン, パッケージ:SOT-223

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梱包形態
RS品番:
892-2236
Distrelec 品番:
304-44-417
メーカー型番:
BSP613PH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

2.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOT-223

シリーズ

SIPMOS

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

130mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22nC

最大許容損失Pd

10.8W

順方向電圧 Vf

1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

-20V, +20V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

幅

40mm

高さ

1.5mm

長さ

40mm

自動車規格

AEC-Q101

インフィニオン SIPMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧60V、最大連続ドレイン電流2.9A - BSP613PH6327XTSA1


このMOSFETは、過酷な環境における表面実装用の電力スイッチング向けに設計されたPチャネル・エンハンスメントモードトランジスタです。車載および産業用システム向けの制御されたゲート駆動スイッチングを実現し、中程度の電流容量と温度耐性を組み合わせて、高温環境での動作とコンパクトな基板レイアウトをサポートします。

特長:


• 60Vドレイン・ソース定格により、中電圧スイッチングが可能
• 2.9Aの連続ドレイン電流により、安定した負荷に対応
• 最大130 mΩのオン抵抗により、導通損失を低減
• 22nCのゲート総電荷量により、ゲートドライブの設計を簡素化
• 10.8Wの最大消費電力により、持続的な電力処理を実現
• -55°C~175°Cの温度範囲により、極端な温度環境での使用に最適

用途


• 車載用電子機器における負荷スイッチに最適
• 産業用高温制御回路に最適
• 表面実装設計におけるコンパクトな電力レギュレータと併用
• 極性保護および逆電流保護回路に使用可能
• 低~中電流のバッテリ管理機能に使用

組み立てにはどのような取り付けスタイルが必要ですか?


標準的なSMTリフロープロセスと基板配置の一般的なフットプリントに対応した4ピンSOT-223表面実装パッケージを採用しています。

設計時に守る必要があるゲート電圧の制限値はどのくらいですか?


最大許容ゲート-ソース間電圧は20Vで、デバイスへのストレスを回避するため、ゲートドライブ回路をこの上限値以下に維持する必要があります。

順方向電圧はシステム設計にどのように影響しますか?


約1.1Vの順方向電圧は、導通時の電力損失を計算する際の指標となり、用途における熱管理能力の必要性を判断するのに有用です。

このデバイスは、車載向け用途に適していますか?


AEC-Q101基準に適合しているため、多くの車載電子モジュールの実装に適しています。

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