Microchip MOSFET, Nチャンネル, 330 mA, 表面実装, 5 ピン, LND01K1-G
- RS品番:
- 178-5338
- メーカー型番:
- LND01K1-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
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- RS品番:
- 178-5338
- メーカー型番:
- LND01K1-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Microchip | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 330 mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 9 V | |
| パッケージタイプ | SOT-23 | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 1.4 Ω | |
| チャンネルモード | デプレッション型 | |
| 最大パワー消費 | 360 mW | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -12 V, +0.6 V | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 動作温度 Max | +125 °C | |
| 幅 | 1.75mm | |
| 長さ | 3.05mm | |
| 高さ | 1.3mm | |
| 動作温度 Min | -25 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Microchip | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 330 mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 9 V | ||
パッケージタイプ SOT-23 | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 1.4 Ω | ||
チャンネルモード デプレッション型 | ||
最大パワー消費 360 mW | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -12 V, +0.6 V | ||
トランジスタ素材 Si | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
動作温度 Max +125 °C | ||
幅 1.75mm | ||
長さ 3.05mm | ||
高さ 1.3mm | ||
動作温度 Min -25 °C | ||
LND01 NチャンネルMOSFETトランジスタ
Microchip LND01は、低しきい値のデプレッションモード(常時オン) MOSFETトランジスタです。 この製品は、バイポーラトランジスタの対応電力量と、MOSデバイスの高入力インピーダンス及び正の温度係数を組み合わせた設計になっています。
特長
双方向
低オン抵抗
低入力静電容量
高速なスイッチング速度
高入力インピーダンス及び高ゲイン
低駆動電力要件
並列動作が簡単
低オン抵抗
低入力静電容量
高速なスイッチング速度
高入力インピーダンス及び高ゲイン
低駆動電力要件
並列動作が簡単
MOSFETトランジスタ、Microchip
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