- RS品番:
- 829-3250
- メーカー型番:
- LND150N3-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
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単価: 購入単位は20個
¥95.40
(税抜)
¥104.94
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
20 - 20 | ¥95.40 | ¥1,908.00 |
40 - 380 | ¥92.65 | ¥1,853.00 |
400 - 580 | ¥87.05 | ¥1,741.00 |
600 - 780 | ¥84.25 | ¥1,685.00 |
800 + | ¥81.45 | ¥1,629.00 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 829-3250
- メーカー型番:
- LND150N3-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
その他
詳細情報
Supertex NチャンネルデプレッションモードMOSFETトランジスタ
Microchip社のSupertexシリーズNチャンネル減損モードDMOS FETトランジスタは、高破壊電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、そして高速なスイッチング速度が求められる用途に最適です。
特長
高入力インピーダンス
低入力静電容量
高速なスイッチング速度
低オン抵抗
二次降伏なし
低い入力及び出力漏れ
低入力静電容量
高速なスイッチング速度
低オン抵抗
二次降伏なし
低い入力及び出力漏れ
代表的用途
常時オンスイッチ
ソリッドステートリレー
コンバータ
リニアアンプ
定電流源
電源回路
電気通信
ソリッドステートリレー
コンバータ
リニアアンプ
定電流源
電源回路
電気通信
Microchip LND150 N チャンネルデプレッションモード(通常オン)トランジスタは、側面 DMOS テクノロジーを採用しています。ゲートは ESD 保護されています。常時オンスイッチ、高精度定電流源、電圧ランプ生成、増幅の分野での高電圧用途に最適です。ドレイン - ソース間及びドレイン - ゲート間電圧が 500 V で、静的ドレイン - ソース間のオン状態抵抗は 1 k Ω です。
二次降伏なし
低駆動電力要件
並列接続が簡単
優れた熱安定性
ソース-ドレインダイオードを内蔵
高入力インピーダンス及び低 CISS
鉛(Pb)フリー
3 リード TO-92 パッケージ
低駆動電力要件
並列接続が簡単
優れた熱安定性
ソース-ドレインダイオードを内蔵
高入力インピーダンス及び低 CISS
鉛(Pb)フリー
3 リード TO-92 パッケージ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Microchip
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 30 mA |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 500 V |
パッケージタイプ | TO-92 |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 1 kΩ |
チャンネルモード | デプレッション型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 3V |
最大パワー消費 | 740 mW |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
幅 | 4.19mm |
長さ | 5.2mm |
動作温度 Max | +150 °C |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
トランジスタ素材 | Si |
高さ | 5.33mm |
動作温度 Min | -55 °C |
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