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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	15.2A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	200V
	パッケージ型式	TDSON
	シリーズ	OptiMOS 3
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	90mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	62.5W
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	9nC
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Max	150°C
	幅	5.35 mm
	高さ	1.1mm
	長さ	6.1mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 15.2A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 200V
	パッケージ型式 TDSON
	シリーズ OptiMOS 3
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 90mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 62.5W
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 9nC
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max 150°C
	幅 5.35 mm
	高さ 1.1mm
	長さ 6.1mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

BSC900N20NS3 G OptiMOS 3 Power-Transistor

RoHSステータス: 対象外

Infineon OptiMOS™3パワーMOSFET、100 V以上

MOSFETトランジスタ、Infineon

Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 15.2 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTDSON

Infineon OptiMOS™3パワーMOSFET、100 V以上

MOSFETトランジスタ、Infineon

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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