Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 15.2 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTDSON, BSC900N20NS3GATMA1

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梱包形態
RS品番:
906-4400
メーカー型番:
BSC900N20NS3GATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

15.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

パッケージ型式

TDSON

シリーズ

OptiMOS 3

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

90mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

62.5W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

9nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

高さ

1.1mm

幅

5.35 mm

規格 / 承認

No

長さ

6.1mm

自動車規格

なし

RoHSステータス: 対象外

Infineon OptiMOS™3パワーMOSFET、100 V以上


MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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