Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 3.1 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計:*

¥56,727.00

(税抜)

¥62,400.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年8月17日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
3000 - 12000¥18.909¥56,727
15000 - 27000¥18.527¥55,581
30000 - 72000¥17.543¥52,629
75000 - 147000¥17.047¥51,141
150000 +¥16.56¥49,680

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
180-7269
メーカー型番:
SI2301CDS-T1-E3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

3.1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

112mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

-1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

10nC

最大ゲートソース電圧Vgs

8 V

最大許容損失Pd

1W

動作温度 Max

150°C

長さ

3.04mm

規格 / 承認

No

高さ

1.12mm

2.64 mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

Vishay


Vishay 表面実装 P チャンネル MOSFET は、ドレインソース電圧が 20 V 、最大ゲートソース電圧が 8 V の新しい時代型製品です。ドレインソース抵抗は、 4.5 V のゲートソース電圧で 112 mhm です。連続ドレイン電流は 3.1 A で、最大消費電力は 1.6 W です。 このトランジスタの最小駆動電圧は 2.5 V 、最大駆動電圧は 4.5 V です。ポータブルデバイスの負荷スイッチに使用されています。MOSFET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


• ハロゲンフリー

•鉛( Pb )フリー

•動作温度範囲: -55 ° C ~ 150 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

認定


• ANSI/ESD S20.20 : 2014

• BS EN 61340-5-1 : 2007

• IEC 61249-2-21

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

関連ページ