Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 2.3 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

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RS品番:
180-7271
メーカー型番:
SI2308BDS-T1-E3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

2.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.192Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

1.66W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

2.3nC

動作温度 Max

150°C

長さ

3.04mm

高さ

1.12mm

幅

2.64 mm

規格 / 承認

IEC 61249-2-21

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

Vishay


Vishay の表面実装 N チャンネル MOSFET は、ドレインソース電圧 60 V 、最大ゲートソース電圧 20 V の新世代製品です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 156 mom となります。最大定格電力は 1.66 W 、連続ドレイン電流は 2.3 A です。このトランジスタの最小駆動電圧は 4.5 V 、最大駆動電圧は 10 V です。MOSFET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


• ハロゲンフリー

•鉛（ Pb ）フリー

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

用途


•バッテリースイッチ

• DC/DC コンバータ

認定


• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• IEC 61249-2-21

• Rg テスト済み

• UIS テスト済み

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