Vishay MOSFET, タイプPチャンネル, 100 V, 13.2 A, 0.145 Ω, 16.5 nC, 8ピン, パッケージ:PowerPAK 1212-8

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RS品番:
180-7305
メーカー型番:
SI7113DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大ドレイン-ソース間電圧(Vds)

100 V

最大連続ドレイン電流(Id)

13.2 A

最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds)

0.145 Ω

標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs

16.5 nC

ピン数

8

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8

自動車規格

なし

順方向電圧 (Vf)

1.2 V

高さ

1.12 mm

長さ

3.61 mm

最大ゲートソース電圧(Vgs)

20 V

動作温度 (Max)

150 °C

最大許容損失(Pd)

52 W

動作温度 (Min)

50 °C

取付タイプ

表面

規格 / 承認

JEDEC JS709A, RoHS

幅

3.61 mm

COO(原産国):
CN

Vishay MOSFET


The Vishay surface mount P-channel PowerPAK-1212-8 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 100V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 134mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 52W and continuous drain current of 13.2A. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. It has applications in the Active clamp in intermediate DC/DC power supplies. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen and Lead (Pb) free

• Low thermal resistance powerpak package with small size and low 1.07mm profile

• Maximum and minimum driving voltage is 4.5V and 10V

• Maximum dissipation power is 52W

• Operating temperature ranges between -50°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Certifications


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested

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