Vishay MOSFET, タイプPチャンネル, 13.2 A, 表面 100 V, 8-Pin, SI7113DN-T1-GE3 パッケージPowerPAK 1212-8

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RS品番:
180-7305
メーカー型番:
SI7113DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

13.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.145Ω

動作温度 Min

50°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

16.5nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

52W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

JEDEC JS709A, RoHS

長さ

3.61mm

幅

3.61 mm

高さ

1.12mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

Vishay


Vishay表面実装PチャンネルPowerPAK-1212-8 MOSFETは、ドレインソース電圧が100 V、最大ゲートソース電圧が20 Vの新しい製品です。ゲートソース電圧10 Vで134 mΩのドレインソース抵抗を備えています。最大消費電力は52 W、連続ドレイン電流は13.2 Aです。この製品は、スイッチング損失と導通損失を低減するために最適化されています。中間DC / DC電源のアクティブクランプでの用途があります。MOSFETは、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率と長く生産的な寿命を提供します。

特長と利点


•ハロゲンフリーおよび鉛フリー

•小型で 1.07mm の低熱抵抗 PowerPak パッケージ

•最大および最小駆動電圧は 4.5 V および 10 V です

•最大消費電力は 52 W です

•動作温度範囲： -50 ° C ～ 150 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

認定


• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• Rg テスト済み

• UIS テスト済み

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