Vishay MOSFET, SI7113DN-T1-GE3

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RS品番:
180-7305
メーカー型番:
SI7113DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
COO(原産国):
CN

Vishay


Vishay 表面実装 P チャンネル PowerPak-12-8 MOSFET は、ドレインソース電圧 100 V 、最大ゲートソース電圧 20 V の新世代製品です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 134 mahms となっています。最大消費電力は 52 W で、連続ドレイン電流は 13.2 A です。この製品は、スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。この製品は、中間 DC/DC 電源のアクティブクランプに使用されます。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


•ハロゲンフリーおよび鉛フリー

•小型で 1.07mm の低熱抵抗 PowerPak パッケージ

•最大および最小駆動電圧は 4.5 V および 10 V です

•最大消費電力は 52 W です

•動作温度範囲: -50 ° C ~ 150 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

認定


• ANSI/ESD S20.20 : 2014

• BS EN 61340-5-1 : 2007

• Rg テスト済み

• UIS テスト済み

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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