Vishay MOSFET, タイプPチャンネル, 100 V, 13.2 A, 0.145 Ω, 16.5 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK 1212-8
- RS品番:
- 180-7804
- メーカー型番:
- SI7113DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 180-7804
- メーカー型番:
- SI7113DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 13.2A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 1212-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.145Ω | |
| 動作温度 Min | 50°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| 最大許容損失Pd | 52W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.12mm | |
| 幅 | 3.61mm | |
| 長さ | 3.61mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS, JEDEC JS709A | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 13.2A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 PowerPAK 1212-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.145Ω | ||
動作温度 Min 50°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 16.5nC | ||
最大許容損失Pd 52W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.12mm | ||
幅 3.61mm | ||
長さ 3.61mm | ||
規格 / 承認 RoHS, JEDEC JS709A | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount P-channel PowerPAK-1212-8 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 100V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 134mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 52W and continuous drain current of 13.2A. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. It has applications in the Active clamp in intermediate DC/DC power supplies. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen and Lead (Pb) free
• Low thermal resistance powerpak package with small size and low 1.07mm profile
• Maximum and minimum driving voltage is 4.5V and 10V
• Maximum dissipation power is 52W
• Operating temperature ranges between -50°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
Certifications
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg tested
• UIS tested
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