Vishay MOSFET, タイプPチャンネル, 13.2 A, 表面 100 V, 8-Pin, SI7113DN-T1-GE3 パッケージPowerPAK 1212-8

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梱包形態
RS品番:
180-7804
メーカー型番:
SI7113DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

13.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.145Ω

動作温度 Min

50°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

16.5nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

52W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS, JEDEC JS709A

長さ

3.61mm

高さ

1.12mm

3.61 mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

Vishay


Vishay 表面実装 P チャンネル PowerPak-12-8 MOSFET は、ドレインソース電圧 100 V 、最大ゲートソース電圧 20 V の新世代製品です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 134 mahms となっています。最大消費電力は 52 W で、連続ドレイン電流は 13.2 A です。この製品は、スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。この製品は、中間 DC/DC 電源のアクティブクランプに使用されます。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


•ハロゲンフリーおよび鉛フリー

•小型で 1.07mm の低熱抵抗 PowerPak パッケージ

•最大および最小駆動電圧は 4.5 V および 10 V です

•最大消費電力は 52 W です

•動作温度範囲: -50 ° C ~ 150 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

認定


• ANSI/ESD S20.20 : 2014

• BS EN 61340-5-1 : 2007

• Rg テスト済み

• UIS テスト済み

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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