Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 12 V, 16 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージMICRO、脚, SI8483DB-T2-E1

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梱包形態
RS品番:
180-7932
メーカー型番:
SI8483DB-T2-E1
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

16A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

12V

パッケージ型式

MICRO、脚

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

26mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

21nC

最大許容損失Pd

13W

最大ゲートソース電圧Vgs

10 V

順方向電圧 Vf

-1.2V

動作温度 Max

150°C

幅

1 mm

高さ

0.59mm

長さ

1.5mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Vishay Siliconix Si8483DBシリーズTrenchFETデュアルNチャネルパワーMOSFETは、ドレイン・ソース間電圧が12Vで、最大消費電力が13Wであり、主に携帯機器の負荷スイッチに使用されます。

低電圧降下

低消費電力

バッテリー寿命の向上

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