Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 5.5 V, 1.2 A, 表面, 6-Pin パッケージSC-70-6
- RS品番:
- 180-7353
- メーカー型番:
- SIP32431DR3-T1GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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| 30000 - 72000 | ￥35.133 | ￥105,399 |
| 75000 - 147000 | ￥33.999 | ￥101,997 |
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- RS品番:
- 180-7353
- メーカー型番:
- SIP32431DR3-T1GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 1.2A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 5.5V | |
| シリーズ | SiP32431DR | |
| パッケージ型式 | SC-70-6 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 147mΩ | |
| 最大許容損失Pd | 250mW | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 85°C | |
| 長さ | 2.15mm | |
| 幅 | 2.2mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 1.2A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 5.5V | ||
シリーズ SiP32431DR | ||
パッケージ型式 SC-70-6 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 147mΩ | ||
最大許容損失Pd 250mW | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 85°C | ||
長さ 2.15mm | ||
幅 2.2mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
高さ 1.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- TW
Vishay SiP32431DRシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧5.5 V、最大連続ドレイン電流1.2 A - SIP32431DR3-T1GE3
このMOSFETは、コンパクトな電子アセンブリの低電圧スイッチング用に設計されたPチャンネル表面実装トランジスタです。標準的な産業環境での低温範囲で動作し、密集した基板レイアウトに適した小型6リードSMDパッケージで提供されます。このデバイスは、自動化システムや電子システムで制御された低電流スイッチングと低電力処理を必要とする用途を対象としています。
特長：
• 最大ドレインソース電圧5.5 Vにより、低電圧スイッチング機能を実現
• 1.2 Aの連続ドレイン電流定格により、適度な負荷電流をサポート
• ドレイン‐ソース‐オン‐抵抗147 mΩにより、導通損失を低減
• 消費電力: 250 mW、安定条件下での熱上昇を制限
• 動作範囲: -40～85°Cにより、一般的な環境での使用が可能
• RoHS準拠により、最終製品の材料管理を簡素化
• 1.2 Aの連続ドレイン電流定格により、適度な負荷電流をサポート
• ドレイン‐ソース‐オン‐抵抗147 mΩにより、導通損失を低減
• 消費電力: 250 mW、安定条件下での熱上昇を制限
• 動作範囲: -40～85°Cにより、一般的な環境での使用が可能
• RoHS準拠により、最終製品の材料管理を簡素化
用途
• 制御モジュールのゲートドライブおよびレベルシフトに最適
• バッテリー管理低電圧切断に最適
• コンパクトなオートメーションセンサの負荷スイッチングに使用
• 測定機器の信号経路保護に使用可能
• 高密度プリント基板の小型電力管理回路で使用
• バッテリー管理低電圧切断に最適
• コンパクトなオートメーションセンサの負荷スイッチングに使用
• 測定機器の信号経路保護に使用可能
• 高密度プリント基板の小型電力管理回路で使用
プリント基板アセンブリには、どのような取り付けスタイルを使用しますか?
自動配置用の6‐リードSC‐70‐6パッケージの表面実装デバイスです。
このデバイスは、連続動作中の熱制限をどのように管理しますか?
最大安定した消費電力は250 mWで、安全なジャンクション温度を維持するために、基板熱設計と銅面積は予想される消費電力に適合する必要があります。
このデバイスは自動車システム認定に適していますか?
自動車規格認定として指定されておらず、適合車両システムには推奨されないでください。
このトランジスタは、どのような導通を実現しますか?
このコンポーネントはPチャンネルMOSFETで、ハイサイドまたは極性に敏感なスイッチング用のPタイプチャンネル伝導を実現します。
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