1 Vishay MOSFET シングル, タイプNチャンネル, 60 A, 表面 100 V, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8

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RS品番:
180-7355
メーカー型番:
SIR882ADP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

60A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

PowerPAK SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0087Ω

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

19.5nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

83W

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

シングル

規格 / 承認

No

長さ

6.25mm

幅

5.26 mm

高さ

1.12mm

1チップ当たりのエレメント数

1

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

ビシェイMOSFET


Vishayの表面実装NチャンネルPowerPAK-SO-8 MOSFETは、ドレイン-ソース間電圧が100V、最大ゲート-ソース間電圧が20Vの新時代の製品です。ゲート・ソース間電圧が10Vのときのドレイン・ソース間抵抗は8.7mΩである。最大消費電力は83W、連続ドレイン電流は60Aである。最小駆動電圧は4.5V、最大駆動電圧は10Vである。この製品は、スイッチング損失と導通損失を低減するために最適化されています。MOSFETは、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率と長く生産的な寿命を提供します。

特長


• ハロゲンフリー

• 鉛フリー部品

• 動作温度範囲 -55°C～150°C

• 高速スイッチング用トレンチFETパワーMOSFET

用途


• DC/DC一次側スイッチ

• 産業現場

• テレコム/サーバー48V、フル/ハーフブリッジDC/DC

認定資格


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN61340-5-1:2007

• Rgテスト済み

• UISテスト済み

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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