Vishay Pチャンネル MOSFET30 V 18 A 表面実装 パッケージPowerPAK SO-8 8 ピン
- RS品番:
- 165-6295
- メーカー型番:
- SI7149ADP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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単価： 購入単位は3000 個
￥46.615
(税抜)
￥51.277
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ￥46.615 | ￥139,845.00 |
| 15000 - 27000 | ￥45.483 | ￥136,449.00 |
| 30000 - 72000 | ￥44.349 | ￥133,047.00 |
| 75000 - 147000 | ￥43.217 | ￥129,651.00 |
| 150000 + | ￥42.083 | ￥126,249.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 165-6295
- メーカー型番:
- SI7149ADP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | P |
| 最大連続ドレイン電流 | 18 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 30 V |
| パッケージタイプ | PowerPAK SO-8 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 8 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 9.5 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1.2V |
| 最大パワー消費 | 48 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -25 V, +25 V |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 幅 | 5mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 長さ | 5.99mm |
| 高さ | 1.07mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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