型番

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 50 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SI7149ADP-T1-GE3

RS品番:: 818-1393
メーカー型番:: SI7149ADP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 50 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SI7149ADP-T1-GE3

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1400 - 1780	￥93.25	￥1,865
1800 - 2380	￥79.00	￥1,580
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RS品番:: 818-1393
メーカー型番:: SI7149ADP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプP
	最大連続ドレイン電流Id	50A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	シリーズ	TrenchFET
	パッケージ型式	PowerPAK SO-8
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.0052Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	48W
	最大ゲートソース電圧Vgs	25 V
	順方向電圧 Vf	0.74V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	43.1nC
	動作温度 Max	150°C
	高さ	1.07mm
	幅	5 mm
	規格 / 承認	Lead (Pb)-Free
	長さ	5.99mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプP
	最大連続ドレイン電流Id 50A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	シリーズ TrenchFET
	パッケージ型式 PowerPAK SO-8
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0052Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 48W
	最大ゲートソース電圧Vgs 25 V
	順方向電圧 Vf 0.74V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 43.1nC
	動作温度 Max 150°C
	高さ 1.07mm
	幅 5 mm
	規格 / 承認 Lead (Pb)-Free
	長さ 5.99mm
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 50 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SI7149ADP-T1-GE3

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PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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