Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 60 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8
- RS品番:
- 919-4242
- メーカー型番:
- SIR870ADP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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| 45000 - 57000 | ¥154.54 | ¥463,620 |
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- RS品番:
- 919-4242
- メーカー型番:
- SIR870ADP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 60A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| シリーズ | SiR870ADP | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 10.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 53.5nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 104W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 5.26 mm | |
| 長さ | 6.25mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.12mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 60A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
シリーズ SiR870ADP | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 10.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 53.5nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 104W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 5.26 mm | ||
長さ 6.25mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.12mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
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