Vishay TrenchFET パワーMOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 4.7 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, SI9407BDY-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
818-1444
メーカー型番:
SI9407BDY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

TrenchFET パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

4.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOIC

シリーズ

Si9407BDY

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.12Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

8nC

順方向電圧 Vf

-0.8V

最大許容損失Pd

5W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

5mm

幅

4 mm

規格 / 承認

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

高さ

1.55mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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