Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 8 V, 3.5 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージMICRO、脚, SI8802DB-T2-E1

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梱包形態
RS品番:
180-7724
メーカー型番:
SI8802DB-T2-E1
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

3.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

8V

パッケージ型式

MICRO、脚

シリーズ

SI8802DB

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

54mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

0.6W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

4.3nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

5V

動作温度 Max

150°C

0.8mm

規格 / 承認

RoHS

長さ

0.8mm

自動車規格

なし

Vishay SI8802DBシリーズMOSFET、最大連続ドレイン電流3.5 A、最大ドレインソース電圧8 V - SI8802DB-T2-E1


これは、表面実装アセンブリの低電圧スイッチング用に設計されたコンパクトなNチャンネル強化MOSFETです。制限された電圧環境で動作し、産業用電子機器で発生する熱条件に適しています。このデバイスは、小型フットプリントのマイクロフットパッケージで提供され、4つのピンを備えており、ボードを簡単に統合できます。

特長:


• 8 Vの最大ドレイン電圧により、低電圧スイッチング用途を実現 • 3.5 Aの連続ドレイン電流により、適度な負荷電流をサポート • 54 mΩ Rds(on)により、動作中の導通損失を最小限に抑制 • 4.3 nCの標準ゲート充電により、ロジック速度で効率的なスイッチングを実現 • 0.6 Wの消費電力により、基板上の低い熱負荷に対応 • -55°C~150°Cの動作範囲により、幅広い極端な温度に耐えることができます

用途


• 産業オートメーションコントローラのゲートドライブステージに最適 • コンパクトアセンブリの低電圧モータドライバスイッチングに最適 • 制御パネルの電源管理回路と併用 • センサインターフェイスモジュールの負荷スイッチングに使用可能

スイッチング性能については、どのようなゲートドライブの制限を考慮すべきですか?


ゲートはソースに対して±5 Vを超えてはならないため、標準的な充電は4.3 nCで、ゲートドライバを設計して、電圧制限を超えることなく、必要なスイッチング速度に対して十分な電流を供給するように設計します。

プリント基板上の熱管理にはどのように取り組む必要がありますか?


最大消散電力0.6 Wで、パッケージの下に十分な銅面積又は熱バイアを確保し、近くの高消散コンポーネントのクラスタリングを避けて、ジャンクション温度を安全な範囲内に維持します。

信頼性の高い組み立てには、どのような取り付け要件が適用されますか?


このデバイスは、4ピンのマイクロフットパッケージに収められた表面実装コンポーネントで、小型SMDに適したはんだペースト容量とリフロープロファイルを使用して、一貫したはんだ接合を実現します。

自動車システムでの使用に制限はありますか?


このデバイスは自動車グレードに分類されていませんので、自動車特有の認証が必要な場所では使用しないでください。

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