2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 6.5 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4946BEY-T1-E3 パッケージSO-8

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梱包形態
RS品番:
180-7732
メーカー型番:
SI4946BEY-T1-E3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

6.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.052Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

3.7W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

9.2nC

トランジスタ構成

デュアル

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

幅

4 mm

高さ

1.75mm

長さ

5mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

Vishay


Vishay 表面実装デュアル N チャンネル MOSFET は、ドレインソース電圧 60 Vゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 41 mhm です。連続ドレイン電流は 6.5 A 、最大定格電力は 3.7 W です。 ポータブルデバイスの負荷スイッチに使用されています。MOSFET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


• ハロゲンフリー

•鉛（ Pb ）フリー

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 175 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

認定


• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• IEC 61249-2-21

• Rg テスト済み

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