2 Vishay MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 6.5 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4946BEY-T1-GE3 パッケージSOIC

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梱包形態
RS品番:
787-9027
メーカー型番:
SI4946BEY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

6.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

52mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

17nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

3.7W

トランジスタ構成

分離式

動作温度 Max

175°C

長さ

5mm

高さ

1.55mm

幅

4 mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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