2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 0.5 A, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型, SI1034CX-T1-GE3 パッケージSC-89
- RS品番:
- 180-7879
- メーカー型番:
- SI1034CX-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 50 - 100 | ￥34.26 | ￥1,713 |
| 150 - 1200 | ￥30.10 | ￥1,505 |
| 1250 - 1450 | ￥25.96 | ￥1,298 |
| 1500 - 2450 | ￥21.80 | ￥1,090 |
| 2500 + | ￥17.64 | ￥882 |
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- RS品番:
- 180-7879
- メーカー型番:
- SI1034CX-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 0.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| パッケージ型式 | SC-89 | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.396Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 220mW | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 8 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 1.3nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 0.6mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 1.2 mm | |
| 長さ | 1.7mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 0.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
パッケージ型式 SC-89 | ||
シリーズ TrenchFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.396Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 220mW | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 8 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 1.3nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 0.6mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 1.2 mm | ||
長さ 1.7mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay
Vishay の表面実装デュアル N チャンネル MOSFET は、ドレインソース電圧が 20 V です。ドレインソース抵抗は、 4.5 V のゲートソース電圧で 396mhm となっています。最大定格電力は 220 mW です。 MOSFET の連続ドレイン電流は 610 mA です。MOSFET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。
特長と利点
•ゲートソース ESD 保護： 1000V
• ハロゲンフリー
•鉛（ Pb ）フリー
•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C
• TrenchFET パワー MOSFET
用途
•バッテリ駆動デバイス
•ドライバ : リレー、ソレノイド、ランプ、ハンマ、ディスプレイ、 メモリ
•ポータブルデバイスの負荷 / 電力切り替え
•電源コンバータ回路
認定
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• Rg テスト済み