Vishay MOSFET, タイプNチャンネル, 4.8 A, 表面 150 V, 8-Pin, SI7898DP-T1-E3 パッケージPowerPAK SO-8

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梱包形態
RS品番:
180-7862
メーカー型番:
SI7898DP-T1-E3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

4.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

パッケージ型式

PowerPAK SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.085Ω

最大許容損失Pd

5W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

21nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

幅

5.26 mm

高さ

1.12mm

長さ

6.25mm

規格 / 承認

IEC 61249-2-21

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

ビシェイMOSFET


Vishayの表面実装NチャンネルPowerPAK-SO-8 MOSFETは、ドレイン-ソース間電圧が150V、最大ゲート-ソース間電圧が20Vの新時代の製品です。ゲート・ソース間電圧が10Vのときのドレイン・ソース間抵抗は85mΩである。最大消費電力は5W、連続ドレイン電流は4.8Aである。最小駆動電圧は6V、最大駆動電圧は10Vである。この製品は、スイッチング損失と導通損失を低減するために最適化されています。MOSFETは、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率と長く生産的な寿命を提供します。

特長


• ハロゲンフリー

• 鉛フリー部品

• 小型・低背1.07mmの新型低熱抵抗PowerPAKパッケージ

• 動作温度範囲 -55°C～150°C

• PWM最適化

• 高速スイッチング用トレンチFETパワーMOSFET

用途


• DC/DC電源一次側スイッチ

• 産業用モータードライブ

認定資格


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN61340-5-1:2007

• Rgテスト済み

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