Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 1.8 A, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8
- RS品番:
- 256-7386
- メーカー型番:
- SI7464DP-T1-E3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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| 30000 - 42000 | ￥122.352 | ￥367,056 |
| 45000 - 57000 | ￥119.914 | ￥359,742 |
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- RS品番:
- 256-7386
- メーカー型番:
- SI7464DP-T1-E3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 1.8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 200V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.024Ω | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.12mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 1.8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 200V | ||
パッケージ型式 PowerPAK SO-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.024Ω | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.12mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay Semiconductor Nチャンネル200 V (D-S)高速スイッチングmosfet 1.8 A (Ta) 1.8 W (Ta)表面実装用途は、一次サイドスイッチです。
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