2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 20 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI7288DP-T1-GE3 パッケージSO-8
- RS品番:
- 818-1390
- メーカー型番:
- SI7288DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
1 袋(1袋10個入り) 小計：*
￥1,938.00
(税抜)
￥2,131.80
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 10,640 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 140 | ￥193.80 | ￥1,938 |
| 150 - 1390 | ￥171.10 | ￥1,711 |
| 1400 - 1890 | ￥149.40 | ￥1,494 |
| 1900 - 2390 | ￥126.50 | ￥1,265 |
| 2400 + | ￥103.90 | ￥1,039 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 818-1390
- メーカー型番:
- SI7288DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 20A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 22mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 15.6W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 10nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 高さ | 1.07mm | |
| 長さ | 5.99mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 5 mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 20A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
シリーズ TrenchFET | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 22mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 15.6W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 10nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min 150°C | ||
動作温度 Max -55°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
高さ 1.07mm | ||
長さ 5.99mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 5 mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN