1 Vishay パワーMOSFET シングル, タイプPチャンネル, 11 A 60 V, IRF9Z24PBF パッケージJEDEC TO-220AB

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RS品番:
180-8309
メーカー型番:
IRF9Z24PBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

11A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.28Ω

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

19nC

最大許容損失Pd

60W

動作温度 Max

175°C

トランジスタ構成

シングル

規格 / 承認

RoHS 2002/95/EC

1チップ当たりのエレメント数

1

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

Vishay


Vishay MOSFET は、 N チャンネル TO-263-3 パッケージに収納され、ドレインソース電圧 60 V 、最大ゲートソース電圧 20 V の新世代製品です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 280 mhm です。MOSFET の最大消費電力は 60 W です。 この製品は、スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


•ダイナミック dV/dt 定格

•並列化が容易

•高速スイッチング

•鉛( Pb )フリーコンポーネント

•動作温度範囲: -55 ° C ~ 175 ° C

•繰り返しアバランシェ定格

•シンプルなドライブ要件

• TrenchFET パワー MOSFET

用途


•バッテリ充電器

• インバータ

• 電源

スイッチングモード電源( SMPS )

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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