Vishay パワーMOSFET, タイプPチャンネル, シングル, 50 V, 18 A, 0.14 Ω, 39 nC, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- RS品番:
- 180-8845
- メーカー型番:
- IRF9Z30PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
- RS品番:
- 180-8845
- メーカー型番:
- IRF9Z30PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 18A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 50V | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.14Ω | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 最大許容損失Pd | 74W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 39nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 14.4mm | |
| 幅 | 10.52mm | |
| 高さ | 6.48mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 18A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 50V | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.14Ω | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
最大許容損失Pd 74W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 39nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 14.4mm | ||
幅 10.52mm | ||
高さ 6.48mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay
Vishay MOSFET は、 P チャンネルの TO-220AB パッケージに収められた新しい製品で、ドレインソース電圧が 60 V 、最大ゲートソース電圧が 20 V となっています。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 140 mhm です。MOSFET の最大消費電力は 74 W です。 この製品は、スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。
特長と利点
• Advanced Process
•高速スイッチング
•完全なアヴァラニチレート
•ハロゲンフリーおよび鉛フリーのコンポーネント
•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C
用途
•バッテリ充電器
• インバータ
• 電源
スイッチングモード電源（ SMPS ）
関連ページ
- Vishay パワーMOSFET シングル 18 A 39 nC, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET シングル 11 A 19 nC, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Infineon MOSFET シングル 130 A パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Infineon MOSFET シングル 23 A パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET 60 V 0.5 Ω 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET -60 V 500 mΩ 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Infineon MOSFET シングル 35 A 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET 400 V 550 mΩ 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB