1 Vishay パワーMOSFET シングル, タイプPチャンネル, 11 A 60 V パッケージJEDEC TO-220AB
- RS品番:
- 180-8692
- メーカー型番:
- IRF9Z24PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 180-8692
- メーカー型番:
- IRF9Z24PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 11A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.28Ω | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 60W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 19nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 規格 / 承認 | RoHS 2002/95/EC | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 11A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.28Ω | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 60W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 19nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
規格 / 承認 RoHS 2002/95/EC | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay
Vishay MOSFET は、 N チャンネル TO-263-3 パッケージに収納され、ドレインソース電圧 60 V 、最大ゲートソース電圧 20 V の新世代製品です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 280 mhm です。MOSFET の最大消費電力は 60 W です。 この製品は、スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。
特長と利点
•ダイナミック dV/dt 定格
•並列化が容易
•高速スイッチング
•鉛（ Pb ）フリーコンポーネント
•動作温度範囲： -55 ° C ～ 175 ° C
•繰り返しアバランシェ定格
•シンプルなドライブ要件
• TrenchFET パワー MOSFET
用途
•バッテリ充電器
• インバータ
• 電源
スイッチングモード電源（ SMPS ）
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。