Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 200 V, 5.2 A, 0.8 Ω, 14 nC, 3ピン, パッケージ:JEDEC TO-220AB

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RS品番:
178-0854
メーカー型番:
IRF620PBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

5.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

シリーズ

IRF620

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.8Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

50W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

14nC

順方向電圧 Vf

1.8V

最大ゲートソース電圧Vgs

-20V, +20V

動作温度 Max

150°C

幅

4.7mm

長さ

10.41mm

規格 / 承認

RoHS 2002/95/EC

高さ

9.01mm

自動車規格

なし

Vishay IRF620シリーズパワーMOSFET、ドレインソース電圧200 V、消費電力50 W - IRF620PBF


このパワーMOSFETは、スルーホールパワーエレクトロニクス向けの高電圧Nチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、堅牢なドレイン・ソース間電圧機能が必要なスイッチングおよび増幅作業に適しています。このコンポーネントは、従来のスルーホールパッケージで提供されており、ミックステクノロジーアセンブリでの取り付けが容易です。

特長:


• 200 Vドレインソース定格により、高電圧スイッチング用途を実現
• 0.8Ωのオン抵抗により、低電流回路での導通損失を低減
• 5.2Aの連続ドレイン電流により、中程度の電力負荷に対応
• 50Wの消費電力容量により、持続的な熱ストレス対応を実現
• 14nC標準ゲート充電により、Vgs20Vで効率的なゲート駆動を実現
• Nチャンネル拡張モードにより、一般的なスイッチングトポロジでの使用を簡素化

用途


• 高電圧レールを扱う電源に最適
• 小型産業用ドライブのモーター制御に最適
• 高電圧トランジスタを必要とするオーディオアンプと併用
• ベンチ機器のDC-DCコンバータに使用可能
• 趣味やプロトタイプのスルーホールアセンブリに最適

信頼性の高いスイッチングを実現するためには、どのようなゲート電圧を適用すべきですか?


このデバイスは、ゲート・ソース間に最大20 Vの電圧を印加できます

この最大値以下の適切なゲートドライブ電圧を使用して、効果的に切り替えることができます。

熱性能は取り付けの選択にどのように影響しますか?


最大消散電力50 Wの場合、連続動作中にジャンクション温度を安全な範囲内に維持するために、ヒートシンクまたは十分な基板銅面積を推奨します。

予想されるスイッチング特性は何ですか?


指定されたゲートドライブで14nCの標準ゲート電荷は、ゲートドライブの適度なエネルギー要件を示し、スイッチング速度とドライバ選択に影響します。

どのような過酷な環境に耐えられますか?


-55°C~150°Cまでの動作に対応し、幅広い周囲環境や高温環境での使用が可能です。

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