Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 5.2 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, IRF620PBF

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 本(1本50個入り) 小計:*

¥6,428.00

(税抜)

¥7,071.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,050 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
1チューブあたりの価格*
50 - 200¥128.56¥6,428
250 - 450¥126.42¥6,321
500 - 1200¥119.72¥5,986
1250 - 2450¥115.30¥5,765
2500 +¥112.00¥5,600

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
178-0854
メーカー型番:
IRF620PBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

5.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

シリーズ

IRF620

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.8Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

14nC

順方向電圧 Vf

1.8V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

最大許容損失Pd

50W

動作温度 Max

150°C

4.7mm

高さ

9.01mm

規格 / 承認

RoHS 2002/95/EC

長さ

10.41mm

自動車規格

なし

Vishay IRF620シリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧200 V、最大連続ドレイン電流5.2 A - IRF620PBF


このパワーMOSFETは、産業用および電子制御システムの高電圧スイッチング用に設計されたスルーホールNチャンネル強化デバイスです。適度な電流と大きな電圧耐性が必要なスイッチングおよび増幅作業に実用的なソリューションを提供し、従来のヒートシンクに適したTO-220ABパッケージで提供されます。

特長:


• 200 Vドレインソース定格により、高電圧スイッチング用途を実現
• 5.2 Aの連続ドレイン電流により、適度な負荷電流をサポート
• 0.8 Ω Rds(on)により、熱計画用に予測可能な導通損失を実現
• 50 Wの消費電力により、ヒートシンクで持続的な動作が可能
• 14 nC標準ゲート充電により、効率的なゲートドライブ設計を実現
• 最大20 Vのゲートソース耐性により、制御中のオーバードライブから保護

用途


• オートメーション機器のモータドライバステージに最適
• 中間電圧を処理するスイッチモード電源に最適
• 制御パネルのリレー交換ソリッドステートスイッチングに使用
• スルーホール取り付けを必要とするラボ電源プロジェクトに使用可能
• 産業用電力変換用ヒートシンクアセンブリと併用

産業用途では、どのような温度範囲で動作できますか?


-55°C~150°Cまでの幅広い周囲温度範囲で動作し、コールドスタートや高温エンクロージャでの展開を可能にします。

ボードには、どのくらいのピンとどのような取り付けスタイルが必要ですか?


3つの電気端子を備え、めっき基板穴にスルーホール取り付けするように設計されています。

安全な動作のためには、どのようなゲートドライブを考慮すべきですか?


ドライブ回路は、ドライバ電流とスイッチング速度をサイズする際に、 ±20 Vのゲートソースウィンドウ内でゲートエキストリングを制限し、14 nCの標準充電を考慮する必要があります。

パネル統合に影響を与える機械的パッケージの寸法は?


このデバイスは、標準的なヒートシンククリップや取り付けハードウェアに適したコンパクトなフットプリント寸法のTO-220ABフォームファクタで提供されます。

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。